rohm level 3 文章最新資訊

體積更小且支持大功率！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶(hù)帶來(lái)更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶(hù)提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來(lái)，客戶(hù)可在英飛凌與羅姆各自的對(duì)應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購(gòu)的靈活性●? ?此類(lèi)產(chǎn)品能提高汽車(chē)車(chē)載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。目前，光伏逆變器雖以?xún)呻娖侥孀兤鳛橹髁鳟a(chǎn)品，但為了滿足更高電壓需求，對(duì)三電平NPC、三電平T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路的需求正在日益增長(zhǎng)。這些電路的開(kāi)關(guān)部分混合采用了半橋和共源等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，因此若使用以往的SiC模塊進(jìn)行適配，
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ROHM推出適用于Zone-ECU的高性能智能高邊開(kāi)關(guān)！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，針對(duì)汽車(chē)照明、汽車(chē)門(mén)鎖、電動(dòng)車(chē)窗等正逐步采用Zone-ECU*1的車(chē)身相關(guān)應(yīng)用，推出6款不同導(dǎo)通電阻值的高邊IPD*2（智能高邊開(kāi)關(guān)）“BV1HBxxx系列”，非常適合用來(lái)保護(hù)系統(tǒng)免受功率輸入過(guò)大等問(wèn)題的影響。全系列產(chǎn)品均符合AEC-Q100車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，滿足對(duì)車(chē)載產(chǎn)品嚴(yán)苛的可靠性要求。隨著自動(dòng)駕駛和電動(dòng)汽車(chē)（EV）的不斷發(fā)展，汽車(chē)的電子控制越來(lái)越復(fù)雜。與此同時(shí)，從功能安全角度來(lái)看，電子保護(hù)的重要性日益凸顯，以區(qū)域?yàn)閱挝粚?duì)汽車(chē)進(jìn)行管理的“Zone-E
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ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動(dòng)的便攜式測(cè)量?jī)x、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測(cè)器等小型應(yīng)用中的測(cè)量放大器。近年來(lái)，隨著便攜式測(cè)量?jī)x和可穿戴設(shè)備等由電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用對(duì)控制精度要求的不斷提高，用于量化溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來(lái)放大傳感器信號(hào)的運(yùn)算放大器的重要性日益凸顯。另一方面，在致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)等大背景下，應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成
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ROHM推出“PFC+反激控制參考設(shè)計(jì)”，助力實(shí)現(xiàn)更小巧的電源設(shè)計(jì)！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出新的參考設(shè)計(jì)“REF67004”，該設(shè)計(jì)可通過(guò)單個(gè)微控制器控制被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子電源和工業(yè)設(shè)備電源中的兩種轉(zhuǎn)換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準(zhǔn)諧振反激式*2轉(zhuǎn)換器。通過(guò)將ROHM的優(yōu)勢(shì)——由Si MOSFET等功率器件和柵極驅(qū)動(dòng)器IC組成的模擬控制Power Stage電路，與以低功耗LogiCoA?微控制器為核心的數(shù)字控制電源電路相結(jié)合，推出基于這種模擬和數(shù)字融合控制技術(shù)的“LogiCoA
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用于高側(cè)或低側(cè)測(cè)量的1%電流感應(yīng)放大器 IC

它們與外部分流電阻器一起工作，有兩種基本類(lèi)型：一種（BD1423xFVJ-C）可以在 -14 至 +80V 的共模范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 18V，另一種（BD1422xG-C）可以在 -14 至 +40V 范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 5.5V。在每種情況下，都可以選擇電壓增益：25、50 或 100V/V。以上情況是正確的，但有一個(gè)例外：最低增益 80V 類(lèi)型的增益為 20（不是 25），并且只能為 5.5V 供電，而不是 18V – 下面的表格總結(jié)了這一細(xì)節(jié)。80V
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過(guò)提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問(wèn)題和運(yùn)算時(shí)間較長(zhǎng)等問(wèn)題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過(guò)采用簡(jiǎn)化的模型
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”）在其太陽(yáng)能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái)，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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日本電裝與Rohm建立電動(dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛芯片聯(lián)盟

5 月 8 日，日本汽車(chē)零部件供應(yīng)商電裝和芯片制造商 Rohm Semiconductor 宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在加深半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)方面的合作。兩家公司援引日經(jīng)新聞和 Car Watch 的報(bào)道稱(chēng)，該聯(lián)盟將涵蓋聯(lián)合芯片開(kāi)發(fā)、集成制造和協(xié)調(diào)原材料采購(gòu)，實(shí)施細(xì)節(jié)將在稍后最終確定。電裝長(zhǎng)期以來(lái)一直從 Rohm 采購(gòu)芯片，但新協(xié)議將把這種關(guān)系擴(kuò)大到共同制造。雙方將整合各自的半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)知識(shí)，共同開(kāi)發(fā)專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē) （EV）、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）和自動(dòng)駕駛量身定制的模擬 IC。
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱(chēng)其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車(chē)載充電器小型化！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV（電動(dòng)汽車(chē)）車(chē)載充電器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）的PFC*1和LLC*2轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機(jī)型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐壓的7款機(jī)型（BSTxxx2P4K01）。通過(guò)將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中，可有效減少客戶(hù)的設(shè)計(jì)時(shí)間，而且有助于實(shí)現(xiàn)OBC等應(yīng)用中電力變換電路的小型化。HS
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ROHM推出支持負(fù)電壓和高電壓（40V/80V）的高精度電流檢測(cè)放大器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，最新推出符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100*1的高精度電流檢測(cè)放大器“BD1423xFVJ-C”和“BD1422xG-C”。采用TSSOP-B8J封裝的“BD1423xFVJ-C”支持+80V的輸入電壓，適用于48V電源驅(qū)動(dòng)的DC-DC轉(zhuǎn)換器、冗余電源、輔助電池、電動(dòng)壓縮機(jī)等高電壓環(huán)境。根據(jù)其增益設(shè)置可分為“BD14230FVJ-C”、“BD14231FVJ-C”和“BD14232FVJ-C”三種型號(hào)。采用小型SSOP6封裝的“BD1422xG-C”支
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ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高光輻射強(qiáng)度的小型表貼型近紅外LED

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出小型頂部發(fā)光型表貼近紅外 (NIR)*1 LED新產(chǎn)品，非常適用于VR/AR*2設(shè)備、工業(yè)光學(xué)傳感器、人體感應(yīng)傳感器等應(yīng)用。近年來(lái)，在VR/AR設(shè)備和生物感測(cè)設(shè)備等領(lǐng)域，對(duì)使用了近紅外（NIR）的先進(jìn)感測(cè)技術(shù)的需求不斷增加。由于這些技術(shù)用于眼動(dòng)追蹤、虹膜識(shí)別、血流量和血氧飽和度測(cè)量等應(yīng)用，因此對(duì)精度的要求非常高。另外，應(yīng)用產(chǎn)品的小型化、低功耗化以及設(shè)計(jì)靈活性的提升也備受重視。此外，在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，隨著精密打印機(jī)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)的發(fā)展，近紅外LED的作
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機(jī)型，包括非常適用于企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級(jí)數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
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